Pour les prochains processus de fabrication de processeurs (7 nm ou 5 nm), les techniques de lithographie se baseront très probablement sur le rayonnement aux ultraviolets extrêmes (EUV). Cependant, la technologie a longtemps souffert d’une puissance relativement faible : elle était limitée à 185 W l’année dernière, ASML vient de la porter à 250 W (avec quatre ans de retard sur les plans initiaux). Il aura fallu cinq ans à l’entreprise pour dépasser les premiers prototypes, avec une puissance d’à peine 25 W en 2012.Avec cette augmentation, l’EUV devient intéressant d’un point de vue commercial : il devient possible de produire cent vingt-cinq galettes par heure et par machine (par rapport aux quatre-vingt-cinq de l’année dernière). En effet, plus la puissance est importante, moins une galette doit rester longtemps dans la machine.
D’ailleurs, le succès commercial de la machine d’ASML (seule firme présente sur le marché de l’EUV, Canon poursuivant une voie similaire mais distincte) ne cesse de se démentir : la compagnie a déjà livré vingt-sept machines (notamment, à Intel, TSMC, GlobalFoundries ou encore Samsung), plus trois ces trois derniers mois ; huit autres ont été précommandées. Globalement, ASML annonce un chiffre d’affaires de presque trois milliards d’euros pour ces ventes, à raison de cent millions l’unité.
Les fabricants qui passent à l’EUV avec ce genre de machines n’ont pas uniquement pour objectif de graver plus finement leur silicium : pour une finesse équivalente, l’EUV devrait permettre de limiter la complexité du processus de fabrication. Actuellement, il faut une série d’expositions de la même galette de silicium (trois ou quatre fois) pour atteindre les finesses d’une dizaine de nanomètres ; grâce à l’EUV, il suffirait d’une seule exposition — l’avantage étant aussi en temps de fabrication pour le même nombre de puces.
Sources : Chipmaschinenausrüster: ASML demonstriert 250-Watt-EUV-System, ASML Claims Major EUV Milestone.
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Envoyé par MaximeCh
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