Production de GDDR6 : Samsung et SK Hynix dans la danse
Avec un débit maximal de dix-huit gigabits par seconde et par pin pour Samung
Le 2018-01-19 19:38:26, par dourouc05, Responsable Qt & Livres
Les nouvelles s’enchaînent au niveau de la prochaine génération de mémoire “conventionnelle” pour cartes graphiques, la GDDR6. Micron avait fait la première annonce, avec une qualification de son processus de fabrication — mais pas encore de grands volumes de production.
Samsung sera donc le premier à dégainer sa production de masse. Ses puces de mémoire sont fabriquées sur un processus 1x nm (que Samsung décrit comme le plus avancé, sans préciser exactement le X). La densité par rapport au nœud précédent (20 nm) est doublée : chez Samsung, à taille égale, une puce de mémoire GDDR5 montait à huit gigaoctets ; maintenant, en GDDR6, il faut compter seize gigaoctets. Le débit par pin annoncé est de dix-huit gigabits par seconde (septante-deux gigaoctets par puce), pour une tension de 1,35 V (par rapport à 1,55 V, cela représente une économie de l’ordre de trente-cinq pour cent en puissance).
SK Hynix a par la suite annoncé ses propres puces de GDDR6. La densité est moindre que chez Samsung (huit gigaoctets par puce), tout comme les débits : de dix à quatorze gigaoctets (jusque cinquante-six gigaoctets par puce) — le gain par rapport à la GDDR5X, par exemple, est donc minime. Par contre, les gains pourraient être plus marqués au niveau de la consommation énergétique : SK Hynix propose des modèles à 1,35 V, comme Samsung (pour des débits de douze à quatorze gigabits par seconde), mais aussi à 1,25 V (dix à douze gigabits par seconde).
Source : Samsung Begins Mass Producing Fastest 18 Gbps GDDR6 Memory For High Performance Graphics Cards – Up To 24 GB of VRAM, 864 GB/s Bandwidth
Samsung sera donc le premier à dégainer sa production de masse. Ses puces de mémoire sont fabriquées sur un processus 1x nm (que Samsung décrit comme le plus avancé, sans préciser exactement le X). La densité par rapport au nœud précédent (20 nm) est doublée : chez Samsung, à taille égale, une puce de mémoire GDDR5 montait à huit gigaoctets ; maintenant, en GDDR6, il faut compter seize gigaoctets. Le débit par pin annoncé est de dix-huit gigabits par seconde (septante-deux gigaoctets par puce), pour une tension de 1,35 V (par rapport à 1,55 V, cela représente une économie de l’ordre de trente-cinq pour cent en puissance).
SK Hynix a par la suite annoncé ses propres puces de GDDR6. La densité est moindre que chez Samsung (huit gigaoctets par puce), tout comme les débits : de dix à quatorze gigaoctets (jusque cinquante-six gigaoctets par puce) — le gain par rapport à la GDDR5X, par exemple, est donc minime. Par contre, les gains pourraient être plus marqués au niveau de la consommation énergétique : SK Hynix propose des modèles à 1,35 V, comme Samsung (pour des débits de douze à quatorze gigabits par seconde), mais aussi à 1,25 V (dix à douze gigabits par seconde).
Source : Samsung Begins Mass Producing Fastest 18 Gbps GDDR6 Memory For High Performance Graphics Cards – Up To 24 GB of VRAM, 864 GB/s Bandwidth