Vous êtes nouveau sur Developpez.com ? Créez votre compte ou connectez-vous afin de pouvoir participer !

Vous devez avoir un compte Developpez.com et être connecté pour pouvoir participer aux discussions.

Vous n'avez pas encore de compte Developpez.com ? Créez-en un en quelques instants, c'est entièrement gratuit !

Si vous disposez déjà d'un compte et qu'il est bien activé, connectez-vous à l'aide du formulaire ci-dessous.

Identifiez-vous
Identifiant
Mot de passe
Mot de passe oublié ?
Créer un compte

L'inscription est gratuite et ne vous prendra que quelques instants !

Je m'inscris !

Des scientifiques chinois dévoilent un procédé de gravure en 3 nm breveté
Permettant de créer des transistors de la taille d'un brin d'ADN humain

Le , par Christian Olivier

103PARTAGES

13  1 
Des scientifiques chinois impliqués dans la recherche de nouvelles technologies de conception de micropuces ont récemment publié une partie des résultats de leurs travaux sur le site Web de l’IEEE Electron Device Letters. Ils ont déclaré avoir réussi à mettre au point un transistor qui augmentera la performance des puces de façon exponentielle et qui réduira considérablement leur consommation d’énergie : une lueur d’espoir pour la loi de Moore qui semble mise à mal depuis plusieurs années ;?


Les puces informatiques les plus perfectionnées qu’on trouve actuellement sur le marché exploitent le procédé de gravure en 7 nanomètres (nm), ce qui signifie qu’elles sont constituées de transistors de sept nm. Le professeur Yin Huaxiang, responsable des travaux, a déclaré que son équipe avait mis au point des transistors de 3 nm – à peu près la taille d’un brin d’ADN humain - et que des dizaines de milliards d’entre eux pouvaient tenir sur une puce de la taille d’un ongle.

La miniaturisation accrue des transistors permet de concevoir des puces qui en contiennent toujours plus. D’après Yin qui est également directeur adjoint du département et des technologies intégrées et des dispositifs microélectroniques à l’Institut de microélectronique de l’Académie chinoise des sciences à Beijing, ce procédé permet d’augmenter les performances d’une puce de façon exponentielle tout en réduisant sa consommation d’énergie.

Mais même si les progrès réalisés dans le domaine de la miniaturisation des transistors MOSFET ont d’une certaine manière permis de confirmer la pertinence de la loi de Moore, l’un des obstacles à ce procédé réside dans une propriété fondamentale, la distribution de Boltzmann des électrons encore appelée tyrannie de Boltzmann qui fixe à 60 mV/décade la limite thermo-ionique minimale théorique d’une caractéristique de pente sous le seuil (SS) d’un transistor. Cette propriété fondamentale suggère qu’il n’est pas possible de réduire indéfiniment la tension de fonctionnement pour diminuer la consommation d’énergie et donc que l’augmentation du nombre de transistors dans une puce électronique expose à un risque plus élevé de surchauffe.

L’équipe de Yin a reconnu qu’elle a dû faire face à ces problèmes. S’agissant par exemple de la tyrannie de Boltzmann, elle a confié avoir utilisant une méthode connue sous le nom de capacité négative afin de concevoir des transistors à effet de champ à capacité négative (transistor NC-FET) qu’on peut alimenter en utilisant la moitié de la quantité minimum théorique d’électricité requise.

Le début de la commercialisation de ce procédé de gravure en 3 nm « ;made in China ;» pourrait prendre quelques années, car l’équipe travaillerait encore sur le contrôle des matériaux et de la qualité. Mais Yin reste optimiste : « ;C’est la partie la plus excitante de notre travail. Ce n’est pas simplement une nouvelle découverte dans un laboratoire. Il a un potentiel élevé d’applications réelles et sérieuses ;» et « ;nous avons le brevet ;».

Les chercheurs chinois impliqués dans ce projet sont de toute évidence persuadés que leur percée dans le domaine du design des transistors et des puces propulsera la Chine dans une nouvelle ère qui permettra à Pékin de rattraper son retard sur les acteurs incontournables du moment, notamment la Corée du Sud avec Samsung, Taïwan avec TSMC ou encore les USA avec Intel et IBM. À ce propos, Yin a déclaré : « ;auparavant, nous [la Chine] regardions les autres se battre. Maintenant, nous rivalisons avec eux ;». Mais n’est-il pas naïf de penser que le fossé technologique qui existe actuellement entre la Chine et ses concurrents pourrait être comblé du jour au lendemain par une seule percée ;technologique ?

À Beijing, un professeur de l’Université Tsinghua qui a étudié la future technologie mise au point par l’équipe du professeur Yin semble plutôt de cet avis. Comparé au procédé de gravure en 7 nm, le géant Samsung a, par exemple, déclaré qu’un processeur construit avec ses transistors de 3 nm consommerait deux fois moins d’énergie pour atteindre une performance supérieure de 35 pour cent. Il serait intéressant de comparer les données de performances annoncées par les grands fondeurs de cette industrie à celles du procédé de gravure en 3 nm développé par l’équipe de Yin pour se faire une meilleure idée de la maturité de la technologie chinoise. Toutefois, il est certain que le développement rapide de ce type de technologie permettrait à la Chine de mieux résister aux pressions de pays concurrents comme c’est le cas actuellement dans les relations commerciales Chine - États-Unis.

Source : SCMP (South China Morning Post)

Et vous ?

Que pensez-vous de cette percée technologique chinoise ?

Cette percée marque-t-elle le début d’une nouvelle ère pour l’industrie des semiconducteurs « made in China » ? Suffira-t-elle pour que la Chine refasse son retard sur ses concurrents ?

La multiplication de ce type d’initiative dans la sphère technologique pourrait-elle permettre à la Chine de mieux résister aux pression étrangères, notamment américaines, en cas de conflit commercial ?

Voir aussi

Les motifs avancés par Trump pour justifier l'embargo contre Huawei sont inacceptables, les USA auraient-ils bluffé depuis le début ?
La Chine dévoile un système quantique de 18 qubits qui exploite 3 degrés de liberté de 6 photons et aurait atteint un niveau d'intrication maximal
IA : la Chine pourrait dépasser les USA avec de meilleurs articles de recherche en seulement 2 ans, selon l'institut d'intelligence artificielle Allen
Des preuves indirectes culpabiliseraient Huawei dans le bras de fer qui l'oppose aux USA, le géant chinois mériterait-il de perdre son empire ?

Une erreur dans cette actualité ? Signalez-le nous !

Avatar de Neckara
Expert éminent sénior https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 15:28
Ce serait assez ironique si les chinois se faisaient voler cette techno.
7  0 
Avatar de mh-cbon
Membre extrêmement actif https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 14:56
Citation Envoyé par Kulvar Voir le message
Ce qui m'inquiète c'est que la dictature Chinoise s'impose encore davantage sur la scène mondiale.
Ma crainte c'est qu'on ai le choix entre la domination de la dictature Chinoise sur le monde ou une troisième guerre mondiale USA/Chine...
caricatural. Tant qu'à n'avoir le choix qu'entre la peste et le cholèra je préfère me dire que le pragmatisme chinois pourrait apporter son lot de surprises.
4  0 
Avatar de rawsrc
Modérateur https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 14:27
Citation Envoyé par Christian Olivier Voir le message
tyrannie de Boltzmann qui fixe à 60 mV/décade la limite thermo-ionique minimale théorique d’une caractéristique de pente sous le seuil (SS) d’un transistor.
Quelle jolie phrase pleine de bon sens
Je dirais qu'une chose : évident tout ça

Et après on s'étonne du stress américain : je dirais qu'une chose : évident tout ça !
2  0 
Avatar de Itachiaurion
Membre averti https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 15:37
Citation Envoyé par Neckara Voir le message
Ce serait assez ironique si les chinois se faisaient voler cette techno.
Je dirais même plus désopilant.
2  0 
Avatar de ijk-ref
Membre confirmé https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 19:00
Citation Envoyé par Kulvar Voir le message
inquiète... dictature… crainte...domination… guerre mondiale
Voila voila un message sans a priori très objectif
1  0 
Avatar de Mingolito
Membre extrêmement actif https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 23:36
Citation Envoyé par ijk-ref Voir le message
CMB
Ça veux dire quoi ? Google me dit Crédit Mutuel de Bretagne.

Ou alors c'est un code spécial comme par exemple : CIM, COB, COF ?
1  0 
Avatar de vxlan.is.top
Membre éprouvé https://www.developpez.com
Le 02/06/2019 à 19:39
Citation Envoyé par Christian Olivier Voir le message


Que pensez-vous de cette percée technologique chinoise ?

Cette percée marque-t-elle le début d’une nouvelle ère pour l’industrie des semiconducteurs « made in China » ? Suffira-t-elle pour que la Chine refasse son retard sur ses concurrents ?

La multiplication de ce type d’initiative dans la sphère technologique pourrait-elle permettre à la Chine de mieux résister aux pression étrangères, notamment américaines, en cas de conflit commercial ?
Pour graver en dessous de 7 nm, il faut un appareillage très complexe et très coûteux (c'est fait par rayonnement UV extrême). Il doit y avoir 2 ou 3 constructeurs au monde capable de graver avec cette finesse. Dont ASML NV, une boîte hollandaise qui possède une filiale dans la Silicon Valley. Je crois même que ce sont les leaders de ce marché.

En avril, ASML a rendu publique une affaire d'espionnage. Ils s'étaient rendu compte de "vols de propriété intellectuelle". Après enquête, ils ont constaté que du logiciel top secret développé chez eux avait fini chez leur plus gros concurrent, Xtal, financé par la Chine et la Corée du Sud...

https://www.androidheadlines.com/201...-chipsets.html
https://uk.reuters.com/article/us-as...-idUKKCN1RN0DK

Pour info, c'est passé en justice début Mai, on n'en a pas beaucoup entendu parler en Europe mais ça a fait grand bruit dans la Silicon Valley :

https://www.globenewswire.com/news-r...inst-XTAL.html
https://www.prnewswire.com/news-rele...300843914.html

L'annonce des Chinois sur leur soi-disant maîtrise de la gravure EUV à 3 nm fait beaucoup jaser et de nombreux chercheurs pensent que c'est le fruit de cet espionnage.

Citation Envoyé par Nicokroox Voir le message
Du coup il n'y a pas d'effet tunnel quantique à 3nm ? 🤔
La distance entre les "objets" n'est pas le seul paramètre qui entre en ligne de compte. L'article évoque par exemple des seuils de tension de fonctionnement réduits, c'en est un autre (on joue sur les barrières/puits de potentiels). Là, ça relève de la façon dont on "manipule" la fonction d'onde de l'objet.

-VX
1  0 
Avatar de tmcuh
Membre régulier https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 18:15
c'est cool on va pouvoir faire une joinventure comme eux pour leur voler leur technologie et on dira "ah nous on respecte le copyright mais ce qu'on a pris c'est pas vraiment de la copie parce qu'on fait du 4nm et pas du 3... "
0  0 
Avatar de ijk-ref
Membre confirmé https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 19:01
Citation Envoyé par tmcuh Voir le message
c'est cool on va pouvoir faire une joinventure comme eux pour leur voler leur technologie et on dira "ah nous on respecte le copyright mais ce qu'on a pris c'est pas vraiment de la copie parce qu'on fait du 4nm et pas du 3... "
CMB
0  0 
Avatar de Nicokroox
Candidat au Club https://www.developpez.com
Le 29/05/2019 à 19:22
Du coup il n'y a pas d'effet tunnel quantique à 3nm ? 🤔
0  0