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La norme HBM2E n’est pas récente ; d’ailleurs, Samsung avait déjà annoncé ses puces HBM2E en mars. Cependant, Samsung n’a, semble-t-il, toujours pas commencé sa production en masse de puces HBM2E. SK Hynix, autre grande société productrice de puces HBM, annonce avoir dépassé ce stade : la production risquée a maintenant débuté, la production en masse arrivera en 2020.
Les puces de mémoire HBM2E poussent la spécification un peu plus loin, en autorisant jusque douze couches pour atteindre vingt-quatre gigaoctets de mémoire par puce (HBM2 n’autorisait que huit couches), avec seize gigabits par couche, et des débits de 384 gigabits par seconde et par broche.
Flashbolt, la puce de Samsung, peut monter jusque 3,2 gigabits par seconde et par broche : celle de SK Hynix (qui ne porte pas de nom particulier) atteint presque les quatre gigabits par seconde et par broche (3,9, officiellement). Personne n’a encore prévu de puce avec douze couches de mémoire, notamment à cause de la chaleur que la mémoire dégagerait, trop difficile à gérer quand elle est concentrée en un si petit espace. En pratique, on utilise souvent plusieurs puces HBM pour un même processeur : quatre est le nombre le plus utilisé, ce qui permettrait de monter à des débits de presque deux téraoctets par seconde.
À titre de comparaison, la mémoire HBM2 a bientôt trois ans. Les premières puces sorties faisaient souvent quatre ou huit gigaoctets, mais n’avaient qu’une bande passante de 1,9 gigabit par seconde et par broche. Avec de légères adaptations de la norme, ces caractéristiques ont pu être largement améliorées !
Source : SK Hynix Develops World’s Fastest High Bandwidth Memory, HBM2E.
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