L’échauffement par effet Joule dépend bien de l'intensité pour la majeure partie du phénomène. Ce sont les pertes magnétiques + pertes de flux. EDF connais très bien la problématique, voilà pourquoi il a choisi de transporter son électricité sous 400 000 Volts (alors qu'une centrale nucléaire ne génère que 10k à 30k Volts) --> pour limiter les pertes induite par la résistivité du câble.
Le schéma le plus simple de ce que l'on désigne à tord comme des transistors (grille/drain/source) : les circuits logiques, ressemble à 2 transistors en série, l'un relié au 0V, l'autre au potentiel haut, et se rejoignant sur un commun définissant la valeur du signal logique ...chacun piloté par sa grille (voir
ce schéma).
La physique fait qu'un phénomène est plus facile (rapide) à déclencher, qu'à stopper (et se retrouver dans un état de "repos", récessif). Ainsi donc, selon que l'un ou l'autre devient passant, le signal apporte un 1 logique (potentiel haut) ou un 0 logique (0V). Mais durant la transition où l'un est "passant" et commence à se bloquer, et l'autre est "bloqué" et commence à devenir passant, l'extinction de la conduction du transistor prenant plus de temps que son allumage, il existe un bref instant où les deux conduisent, fabricant ainsi un "court-circuit" entre 0V et haut-potentiel.
C'est de là que provient la majeur partie de l'échauffement. Le temps d'extinction est intrinsèque à la nature du transistor, il ne varie pas (peu), ce qui fait que l'échauffement est proportionnel au carré de la fréquence (J --> f²).
On comprend alors très bien que l'énergie de pilotage des transistors est dérisoire face au phénomène de court-circuit. On comprend également que si l'on augmente la tension, on augmente aussi la "puissance" du court-circuit. Si l'on augmente la fréquence, on augmente le nombre de court-circuits par seconde.
Il y a eu des évolutions notable en efficacité énergétique :
- réduction du courant de fuite (le courant que laisse passer le composant, peu importe son état, comme un condensateur, ou une batterie)
- réduction de l'énergie nécessaire pour la commande des transistors
- amélioration notable de l’impédance (capacitance +inductance +résistance)
- du gain
- la plage fréquentielle (rapidité du phénomène de transition bloquant/passant et inversement)
- etc.
Je n'ai pas eu vent d'amélioration significative sur la problématique du court-circuit depuis mes études... ^^'
L'amélioration de la plage fréquentielle est une amélioration du problème, mais on a systématiquement monté les fréquence pour atteindre le même échauffement. C'est ce fameux "mur" dont vous avez sûrement entendu parlé concernant le TDP des CPU. Car au-delà d'un certain niveau d'échauffement, le comportement /stabilité de certains composants devient problématique.
Qu’apporte donc la finesse de ce point de vue ?
eh bien, plus fin d'un point de vue " U = R.I et P = U.I " ça veut tout simplement dire que les conducteurs sont plus résistif (des court-circuit moins violant)... mais ce n'est pas parce que la gravure est plus "fine" que les tuyaux qu'elle dessine sont plus petit ! Ils sont simplement plus net, plus propres, avec moins de défauts... bref, une électronique plus fiable, et
des caractéristiques plus précises. C'est la précision de la conception qui permet un gain dans l'absolue, pourquoi concevoir un système opérant entre 1 et 9 quand on peut certifier qu'il opère entre 4 et 7, que la tenue en fréquence est plus stable, etc.
Mis bout à bout, vous avez vos 5% de perf/an.

Envoyé par
dourouc05
(...) mais comme les investissements baisse du moins sur ce secteur, fatalement le rythme d’innovation baisse.
Bien vu ! Si les innovations n'étaient freiné que par les capacités de l'esprit, et non par l'argent, bien des choses seraient dans notre quotidien aujourd'hui.
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