Les actions du secteur des semi-conducteurs s'effondrent alors que la société chinoise CXMT dévoile sa DRAM de nouvelle génération

Avec des « progrès majeurs » sur les mémoires utilisant la technologie 4F²

Le président de CXMT, Cao Kanyu, a déclaré que la société avait réalisé des « progrès décisifs » sur une nouvelle architecture cellulaire permettant d’augmenter la densité de mémoire — la technologie 4F² — lors d’une conférence à Shanghai. Le fabricant de puces devrait également commercialiser d’ici la fin de l’année une nouvelle génération de modules de mémoire DDR5 « registered » (à double rangée) utilisant cette technologie. Les marchés ont réagi immédiatement, à la Bourse de New York, l’action du fabricant américain de puces mémoire Micron Technology a chuté de 3,88 %, tandis que l’indice Philadelphia Semiconductor a reculé de 2,67 %. Sur le marché boursier coréen, les actions de Samsung Electronics et de SK hynix ont respectivement perdu plus de 6 % et 9 % à un moment donné au cours de la séance le jour d'après.

L’essor de l’IA accapare une grande part de la production mondiale de mémoires. Cette situation a provoqué une pénurie et perturbe les autres marchés (smartphones, objets connectés, consoles, PC...). Des prévisions au début d'année ont indiqué que les centres de données consommeront 70 % des puces mémoire fabriquées en 2026 et que la pénurie de RAM durera au moins jusqu'en 2029, car la capacité mondiale de production de RAM en 2028, qui n'a même pas encore été fabriquée, est déjà vendue. Les prix de la DDR5 ont plus que quadruplé depuis septembre 2025, ce qui suggère que les consommateurs pourraient faire face à des prix encore plus insensés d'ici à 2030.

Dans ce contexte, les actions mondiales du secteur des semi-conducteurs s’est récemment effondré après que la société chinoise CXMT a dévoilé ses projets de DRAM de nouvelle génération. ChangXin Memory Technologies (CXMT) est un fabricant chinois de dispositifs intégrés à semi-conducteurs dont le siège social est situé à Hefei, dans la province de l’Anhui, spécialisé dans la production de mémoires DRAM. Fin 2025, l'entreprise produisait 720 000 plaquettes par trimestre. En 2026, elle est devenue le premier fabricant chinois et le quatrième fabricant mondial de DRAM.

Les actions mondiales du secteur des semi-conducteurs ont chuté, alors que le fabricant chinois de puces mémoire CXMT a annoncé son intention de lancer, d’ici la fin de l’année, des produits de mémoire pour serveurs utilisant la technologie 4F² de nouvelle génération. Le président de CXMT, Cao Kanyu, a déclaré que la société avait réalisé des « progrès décisifs » sur une nouvelle architecture cellulaire permettant d’augmenter la densité de mémoire — la technologie 4F² — lors d’une conférence à Shanghai. Le fabricant de puces devrait également commercialiser d’ici la fin de l’année une nouvelle génération de modules de mémoire DDR5 « registered » (à double rangée) utilisant cette technologie.

Les marchés ont réagi immédiatement, à la Bourse de New York, l’action du fabricant américain de puces mémoire Micron Technology a chuté de 3,88 %, tandis que l’indice Philadelphia Semiconductor a reculé de 2,67 %. Sur le marché boursier coréen, les actions de Samsung Electronics et de SK hynix ont respectivement perdu plus de 6 % et 9 % à un moment donné au cours de la séance le jour d'après.

Ces baisses reflètent les inquiétudes croissantes quant à la possibilité que CXMT aille au-delà des puces de mémoire vive dynamique (DRAM) conventionnelles pour concurrencer les technologies de nouvelle génération et les produits de mémoire pour serveurs à forte valeur ajoutée actuellement développés par les leaders du secteur. L’architecture 4F² est une conception de nouvelle génération qui réduit la surface des cellules de mémoire par rapport à l’architecture 6F² largement utilisée dans les puces DRAM commerciales.

En termes de surface des cellules uniquement, elle réduit la taille de chaque cellule d’environ 33 %, ce qui permet théoriquement d’intégrer 50 % de cellules en plus au total. Plutôt que de se contenter de réduire la taille des puces, cette technologie vise à augmenter la densité de mémoire grâce à des modifications structurelles, notamment en disposant les transistors verticalement et en séparant les cellules de mémoire des circuits périphériques.


Samsung Electronics développe également une DRAM de nouvelle génération utilisant l’architecture 4F² et des transistors à canal vertical. SK hynix a dévoilé l’année dernière une feuille de route technologique, exposant ses projets d’application de la technologie 4F² à grille verticale aux puces DRAM utilisant des procédés inférieurs à 10 nanomètres, parallèlement à la technologie de collage de plaquettes.

Si l’annonce de CXMT a secoué le marché, certains estiment qu’il est trop tôt pour évaluer sa capacité à être compétitive en production de masse. CXMT n’a pas divulgué les spécifications détaillées de ses produits, ni les taux de rendement, la taille des puces, la consommation d’énergie, la capacité de production de plaquettes ou les résultats des tests de qualification auprès des clients.

« Même si CXMT parvient à développer un produit 4F² d’ici la fin de l’année, on peut se demander si l’entreprise sera capable de produire suffisamment de puces pour avoir un impact significatif sur le marché », a déclaré Chung In-sung, auteur et ancien chercheur chez SK hynix.

Les annonces précédentes avaient donné lieu à des retards considérables. En 2022, CXMT visait la production en série de puces DDR5 d’ici la fin de cette année-là. Cependant, les produits DDR5 intégrant des puces CXMT n’ont commencé à apparaître véritablement sur le marché qu’à la fin de l’année 2024. Des observateurs du secteur ont également signalé l’année dernière que CXMT peinait à développer la production de ses nouvelles puces DDR5 en raison de problèmes de rendement et de fiabilité.

Face à une concurrence croissante, Samsung Electronics intensifie ses efforts pour conserver son avance technologique. Lors du Sommet mondial OCP 2026 qui s’est tenu dans la Silicon Valley, en Californie, l’entreprise a dévoilé sa mémoire à haute bande passante (HBM) de huitième génération, connue sous le nom de HBM5 ; une HBM sur mesure ; des technologies d’extension de mémoire basées sur Compute Express Link ; ainsi que des disques SSD de nouvelle génération. OCP signifie Open Compute Project.

Cette initiative s'inscrit dans la stratégie de Samsung visant à étendre sa compétitivité technologique au-delà de la technologie HBM pour s'étendre au marché plus large des infrastructures d'IA, notamment la mémoire système et le stockage. Certains experts estiment que les fabricants coréens de puces mémoire doivent également accroître plus rapidement leurs capacités de production afin de consolider leur avance sur leurs concurrents chinois.

Les propos tenus à Shanghai par Chey Tae-won, président du groupe SK, reflétaient des préoccupations similaires. « Si la Chine ou Micron, aux États-Unis, augmentent leurs capacités de production plus rapidement que nous, la part de marché de notre pays va diminuer », a-t-il déclaré. « Nous devons développer rapidement [nos installations de production]. »

Les experts ont également souligné la nécessité d’un soutien gouvernemental. « Pour conserver une part de marché mondiale d’environ 80 % et établir une avance écrasante en matière de capacités de production et de technologie, ce qui compte, ce ne sont pas seulement les investissements des entreprises, mais aussi la rapidité avec laquelle le gouvernement met en œuvre des mesures de soutien », a déclaré Lee Jong-hwan, professeur au département d’ingénierie des semi-conducteurs de systèmes de l’université de Sangmyung.

L'industrie traverse une crise majeure marquée par une explosion des prix de la mémoire vive (DRAM) et du stockage. Cette situation est principalement causée par une demande insatiable pour les infrastructures d'IA, incitant les fabricants comme Samsung, Micron et SK Hynix à privilégier les puces à haute performance dédiée à l’IA au détriment des produits grand public. Les dirigeants anticipent sur une extension de cette pénurie de RAM jusqu’en 2028.

Source : Le géant chinois des puces mémoire ChangXin Memory Technologies (CXMT)

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